Agde-agde

출처 : 디일렉 기사 "SK트리켐, D램 하프늄 프리커서 특허무효심판 승소" 2023-08-14 http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=22546 스토리가 길어서 메르님 스타일로 정리해봤습니다. 1. 선단 공정 D램의 경우 High-k 물질로 하프늄(Hf) 사용 2. 하프늄 공정은 하프늄만 사용하는 게 아니라,    지르코늄 > 알루미늄 > 하프늄 > 알루미늄 > 타이타늄 으로 진행하는 공정임 3. 과거 지르코늄만 사용할 때는 상기의 하프늄 자리에 지르코늄을 사용했음 4. 그런데, 하프늄으로 하는 게 효과가 더 좋아서 지르코늄 자리를 하프늄이 꿰차게 되었음 5. 하프늄 공정의 원천특허는 일본의 트리케미칼이 가지고 있음 6. 트리케미칼은 과거 SK머트리얼즈와 합작사 SK트리켐 을 만들었음 7. 여기서 하프늄계 High-k 물질을 하이닉스에 단독 공급    ('22년 SK트리켐 매출 2,200억원 중 1,500억원이 하프늄 매출) 8. 삼성전자는 일본 아데카로부터 하프늄 공급 받음    (삼전향 지르코늄 공급은 아데카 + 디엔에프) 9. D램 캐파는 삼성전자가 하이닉스보다 훨씬 많지만 High-k 사용량은 훨씬 적음 10. 전구체 증착 장비 방식이 달라서 그런데,      삼성전자는 퍼니스 타입이고      하이닉스는 배치 타입이라서 그런 것임 11. 아무튼 하프늄 특허는 일본 트리케미칼, 국내 실시권은 SK트리켐이 가지고 있음에도,      삼성전자는 아데카 거를 그냥 썼음 12. 트리케미칼은 여러가지 영업적 이유로 아데카에게 소송을 걸지 않고      그냥 장사하도록 놔둔 것으로 추정됨 13. 그런데 갑자기 버슘머티리얼즈(현재 머크)가 SK트리켐에게      하프늄 공정 특허 무효 소송을 걸었음 14...

  출처 : "반도체 | HBM과 AI 시대 메모리" (2023-08-03, 한국투자증권 채민숙, 조수헌) Summary 1. HBM(High Bandwidth Memory)는 AI 가속기에 사용되는 GPU와 같은 칩셋에 들어감 2. 가트너는 '20~27년 AI 가속기 출하량 CAGR을 20% 정도로 추정 3. 그러나 전체 DRAM에서 수량 기준으로 HBM 비중은 '23년 기준 0.8%, '27년에도 1.4%에 불과 4. HBM이 일반 DRAM 대비 비싼 걸 감안해도 전체 DRAM 매출 대비 비중은 최대 10% 초중반 5. 그러나 HBM도 DRAM 웨이퍼 붙여만드는 거고, AI 서버는 일반 서버 대비 주메모리 더 많이 씀    > AI 발전에 따라 DRAM 전체 사용량도 증가    >> 전공정 투자 필요  * NAND는 주요 데이터센터 업체들의 GPU 위주 CAPEX 집행으로 인해 당분간은 후순위로 밀릴 예정  | DRAM의 구분 : HBM은 DRAM의 어느 범주에 들어가는가? HBM은 Graphic DDR(GDDR)에 해당됨 DRAM 범주는 Standard / Mobile / Graphics 로 구분 Standard DDR 서버, 클라우드 컴퓨팅, PC, 가전용 등 형태(폼 팩터)는 DIMM(Dual In-line Memory Module), Discrete(단품) 로 나뉨 DIMM은 PCB 위에 여러개의 Discrete DRAM을 부착해 용량을 늘릴 수 있음 Mobile DDR 저전력 특성으로 스마트폰에 사용 Discrete 또는 낸드와 섞어놓은 하나의 패키지로 사용 Graphic DDR(GDDR) 데이터센터 가속, AI 등 매우 높은 처리량이 필요한 영역에 사용 Standard 대비 속도가 빠르고 메모리 대역폭(bandwidth)이 넓음 GDDR과 HBM이 여기에 속함 [참고] 현재 사용되는 DRAM은 SDRAM = Synchnonous(동기식) DRAM에 해당 동기식은 메모리 ...

다른 채널에서는 보지 못했던 내용이 나와서 정리해둡니다. http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=22097 얼마 전 삼성전자가 GaN 시장에 들어오겠다는 뉴스가 나왔는데, 해당 제품군이 GaN-on-Si 와 GaN-on-SiC 로 구분되고, 삼성전자가 진입하는 시장은 전자에 해당된다는 이야기 입니다.  통상적으로 GaN은 SiC 대비 더 높은 기술력을 요구하고 있고, 그래서 아직 상용화 단계에 이르지 않았다는 인식이 있습니다. 그래서 차량용 반도체 쪽에서도 SiC가 대세인 상황인데, 이 쪽은 이미 전통적인 차량용 반도체 업체들이 모두 진입한 상태여서 삼전이 다른 길을 모색한 것으로 보입니다. GaN 시장에서 상대적으로 난이도가 낮은 시장에 먼저 진입한다는 내용 입니다. 울프스피드가 GaN 쪽에서도 성과를 내고 있다보니 여기서 사람들을 땡겨왔나 봅니다. 그런데 삼성전자가 진입하는 후방산업이 무선이 아니라니 무슨 얘기일까요? 무선이라면 RF(Radio Frequency : 무선주파수) 사업일 것이고, 울프스피드 홈페이지를 뒤져보면 RF 사업 쪽에서 GaN-on-SiC 선도업체라는 언급이 나옵니다. 삼성전자는 GaN-on-Si 한다고 했는데 울프스피드 사람들을 왜 데리고 왔을까요? 일단 Si 쪽에서 출발하지만 장기적으로는 SiC 로 들어가겠다는 의미가 되겠지요. 전략은 좋습니다만 삼성전자는 사업 영역이 너무 넓어서 향후 이 사업을 제대로 키우려면 분사의 필요성이 있는 것 같습니다. 화합물 반도체 산업에서 울프스피드의 위상이 상당한 것 같습니다. SiC 이후의 시장에도 대응 가능한 회사가 아닌가 싶네요.